- 手機:181-4585-5552
- 電話:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 郵箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
功率模塊NTHL019N60S5F
發(fā)布時間:2022-03-15 16:07:32 點擊量:
型號: NTHL019N60S5F
分立器件和功率模塊
我們的產(chǎn)品陣容提供全系列高、中、低壓功率分立器件以及先進(jìn)的功率模塊方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模塊、二極管、SiC 二極管和智能功率模塊 。SUPERFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié) MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過量身定制,可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并承受極端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。
on是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié),MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過量身定制,可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并承受極端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。
特性 優(yōu)勢
超低柵極電荷(典型值 Qg= 252 nC)
更低的開關(guān)損耗
低時間相關(guān)輸出電容(典型值.Coss(tr.)= 3174 pF)
更低的開關(guān)損耗
優(yōu)化電容
較低的峰值 Vd 和較低的 Vgs 振蕩
出色的體二極管性能(低 Q 值)rr,堅固的體二極管)
在有限責(zé)任公司和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
650 V @ TJ= 150 °C
類型。RDS(on)= 15.2 mΩ
100%雪崩測試
這些器件無鉛、無鹵素/無 BFR,并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)部柵極電阻:3.5 Ω
合通泰作為深圳on一級代理商,承諾原裝正品,假一賠十。
因ic芯片的型號和封裝種類繁多,產(chǎn)品沒有一 一上傳,
如找不到你想要的產(chǎn)品,請聯(lián)系在線客服咨詢或電話聯(lián)系。謝謝!
推薦產(chǎn)品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 三星徹底改革半導(dǎo)體研究以加快內(nèi)存生產(chǎn)并提高利潤2024-11-06
- PC 芯片需求不溫不火,IC 設(shè)計公司寄希望于短交貨期訂單2024-11-05
- 三星和 SK 海力士的消費者 IT 需求疲軟,給人工智能熱潮蒙上了陰影2024-11-04
- AI PC市場需求不溫不火,業(yè)界寄希望于未來平臺2024-10-31
- 中國利用內(nèi)存計算技術(shù)在人工智能芯片開發(fā)領(lǐng)域超越 HBM2024-10-29
- 車用芯片需求回升對意法半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)有何影響?2024-10-28