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功率模塊NTHL019N60S5F

發(fā)布時間:2022-03-15 16:07:32   點擊量:

  • NTHL019N60S5F
品牌:on一級代理商
型號: NTHL019N60S5F
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分立器件和功率模塊

  我們的產(chǎn)品陣容提供全系列高、中、低壓功率分立器件以及先進(jìn)的功率模塊方案,包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模塊、二極管、SiC 二極管和智能功率模塊 。SUPERFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)  MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過量身定制,可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并承受極端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。

  on是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié),MOSFET系列,采用電荷平衡技術(shù),具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過量身定制,可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并承受極端的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET非常適合各種功率系統(tǒng),以實現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能可以去除額外的組件并提高系統(tǒng)可靠性。

  特性 優(yōu)勢

  超低柵極電荷(典型值 Qg= 252 nC)

  更低的開關(guān)損耗

  低時間相關(guān)輸出電容(典型值.Coss(tr.)= 3174 pF)

  更低的開關(guān)損耗

  優(yōu)化電容

  較低的峰值 Vd 和較低的 Vgs 振蕩

  出色的體二極管性能(低 Q 值)rr,堅固的體二極管)

  在有限責(zé)任公司和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性

  650 V @ TJ= 150 °C

  類型。RDS(on)= 15.2 mΩ

  100%雪崩測試

  這些器件無鉛、無鹵素/無 BFR,并且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

  內(nèi)部柵極電阻:3.5 Ω

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因ic芯片的型號和封裝種類繁多,產(chǎn)品沒有一 一上傳,

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