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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距大約是5年。

具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級（1b或者說12nm）內(nèi)存芯片，而國產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。

一般而言，DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏，國產(chǎn)內(nèi)存芯片有機會進一步縮短與三星的技術(shù)差距。然而，目前一個比較棘手的問題是，三星和SK海力士已經(jīng)引入了EUV（極紫外光刻）設(shè)備用于生產(chǎn)更先進的DRAM芯片，而國產(chǎn)企業(yè)暫時還無法獲取這一設(shè)備。